MARC details
000 -CABECERA |
campo de control de longitud fija |
00778nam a2200229 a 4500 |
008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
campo de control de longitud fija |
210811s2021^^^^si^a^^^^^^^^^^001^0^eng^d |
020 ## - NÚMERO INTERNACIONAL ESTÁNDAR DEL LIBRO |
Número Internacional Estándar del Libro |
9789814800969 |
Información calificativa |
empastado |
035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
Número de control de sistema |
MX001002107309 |
040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
Centro catalogador/agencia de origen |
UNAMX |
Lengua de catalogación |
spa |
Normas de descripción |
rda |
Centro/agencia transcriptor |
UNAMX |
050 #4 - SIGNATURA TOPOGRÁFICA DE LA BIBLIOTECA DEL CONGRESO |
Número de clasificación |
QC611.24 |
Número de documento/Ítem |
S454 |
082 04 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
Número de clasificación |
537.6/22 |
Número de edición |
23 |
100 1# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
Nombre de persona |
Shinozuka, Y., |
Forma completa/desarrollada del nombre |
(Yuzo), |
Término indicativo de función/relación |
autor |
245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
Título |
Electron-lattice interactions in semiconductors / |
Mención de responsabilidad, etc. |
Yuzo Shinozuka |
264 #1 - PRODUCCIÓN, PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, FABRICACIÓN Y COPYRIGHT |
Producción, publicación, distribución, fabricación y copyright |
Singapore : |
Nombre del de productor, editor, distribuidor, fabricante |
Jenny Stanford Publishing, |
Fecha de producción, publicación, distribución, fabricación o copyright |
[2021] |
300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
Extensión |
x, 245 páginas : |
Otras características físicas |
ilustraciones (algunas a color) |
336 ## - TIPO DE CONTENIDO |
Término de tipo de contenido |
texto |
Fuente |
rdacontent |
337 ## - TIPO DE MEDIO |
Nombre/término del tipo de medio |
sin medio |
Fuente |
rdamedia |
338 ## - TIPO DE SOPORTE |
Nombre/término del tipo de soporte |
volumen |
Fuente |
rdacarrier |
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Semiconductores |
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Interacciones electrón-fonón |
650 #4 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
Término de materia o nombre geográfico como elemento de entrada |
Dinámica de redes |